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SPP20N60C3

厂商名称：Infineon

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管,MOSFET,N通道,650 V,20.7 A,0.19 ohm,TO-220,通孔

英文描述：

N-channel MOSFET,SPP20N60C3 20.7A 650V

数据手册：

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SPP20N60C3概述

SPP20N60C3是一款650V N沟道CoolMOS?功率MOSFET，具有较低的特定导通电阻。CoolMOS?MOSFET大大降低了传导、开关和驱动损耗，并为卓越的电源转换系统实现了高功率密度和效率。最新一代的高压功率MOSFET使AC-DC电源比以往任何时候都更高效、更紧凑、更轻、更冷。

在400V时，输出电容的能量储存非常低（Eoss）

低栅极电荷(Qg)

高效率和功率密度

卓越的性能

高可靠性

易于使用

应用

计算机和计算机周边,通信与网络,消费电子产品,电源管理

SPP20N60C3中文参数

制造商:	Infineon	Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
产品种类:	MOSFET	最小工作温度:	- 55 C
技术:	Si	最大工作温度:	+ 150 C
安装风格:	Through Hole	Pd-功率耗散:	208 W
封装 / 箱体:	TO-220-3	通道模式:	Enhancement
晶体管极性:	N-Channel	下降时间:	4.5 ns
通道数量:	1 Channel	上升时间:	5 ns
Vds-漏源极击穿电压:	600 V	晶体管类型:	1 N-Channel
Id-连续漏极电流:	20.7 A	典型关闭延迟时间:	67 ns
Rds On-漏源导通电阻:	190 mOhms	典型接通延迟时间:	10 ns